2019年05月

    1: へっぽこ立て子@エリオット ★ 2019/05/24(金) 14:27:07.48 ID:CAP_USER.net
    □次世代メモリの立ち位置を再確認する
     2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット(FMS:Flash Memory Summit)」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストをつとめるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。

     なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。

     本シリーズの第4回でご説明したように、コンピュータのメモリ/ストレージ階層における次世代メモリの立ち位置は、DRAM階層とNANDフラッシュメモリ階層の間にある。
    次世代メモリの「理想と現実」 (1/2) - EE Times Japan
    https://eetimes.jp/ee/articles/1904/11/news028.html
    メモリ/ストレージ階層の隣接する階層間における遅延時間(レイテンシ)のギャップが、DRAMとNANDフラッシュメモリの間で大きく開いているからだ。遅延時間の違いは約4桁もある。

     ギャップが大きいということは、新たな階層を挟む余地がある、ということでもある。NANDフラッシュメモリのストレージであるSSDが登場する以前の時代は、DRAMの次にくるメモリ/ストレージ階層はHDDだった。DRAMとHDDの遅延時間のギャップはさらに大きく、約6桁におよんだ。SSDは、DRAMと次の階層のギャップを約4桁にまで縮め、コンピュータの性能向上に大きく寄与した。

     しかしコンピュータにおけるメモリ/ストレージ階層のバランスは、まだ改善の余地が大いに残っている。この改善に寄与するのが、次世代メモリだともいえる。

    https://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1905/22/l_mm190521storage1.jpg
    コンピュータのメモリ/ストレージと遅延時間(レイテンシ)の関係。DRAMとNANDフラッシュメモリのギャップが約4桁と大きい。出典:MKW Venture Consulting, LLC

    □最有力候補のメモリ技術3種とその現状
     次世代メモリの最有力候補は、3つのメモリ技術に絞られる。相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)である。

     相変化メモリ(PCM)は当初、単体のメモリとして128Mビット品が市販されたほか、異なる種類のメモリを混載するマルチチップパッケージとしてカスタム品が製品化された。しかしこれらの製品は、一時期の販売にとどまった。

     PCMの復活は3次元クロスポイント構造とともに生じた。IntelとMicron Technologyが共同開発した高速大容量不揮発性メモリ「3D XPointメモリ」である。IntelとMicronはメモリ技術の詳細を公式には明らかにしていない。しかしシリコンダイを分析した調査企業によるレポートから、PCMであることが判明した。現在では「3D XPointメモリ」が、DRAMを超える大容量化に成功した初めての次世代メモリであるとともに、PCM技術の代表的な商業化事例となっている。

     磁気抵抗メモリ(MRAM)は、ベンチャー企業によって4Mビットの単体メモリから製品化が始まった。現在では、単体メモリの量産品は256Mビットまで大容量化が進んでいる。さらに最近では、マイクロコントローラーやSoC(System on a Chip)などで従来の埋め込みフラッシュメモリを置き換える、埋め込みMRAMが大手のシリコンファウンダリーによって提供され始めた。

     抵抗変化メモリ(ReRAM)は、マイクロコントローラーの埋め込みメモリとして製品化が始まった。小容量の単体メモリも市販されている。また、大手のシリコンファウンダリーが埋め込みReRAMを近く提供するとみられる。

     次回以降は、これら3種類の次世代メモリ技術について解説していく予定である。

    https://image.itmedia.co.jp/ee/articles/1905/22/l_mm190521storage2.jpg
    次世代メモリの最有力候補とその現状。相変化メモリ(PCM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)がある。MKW Venture Consulting, LLC
    (次回に続く)

    ⇒「福田昭のストレージ通信」連載バックナンバー一覧
    https://eetimes.jp/ee/series/746/

    2019年05月22日 10時30分 公開
    EE Times Japan
    https://eetimes.jp/ee/articles/1905/22/news035.html

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    1: 田杉山脈 ★ 2019/05/22(水) 20:49:26.71 ID:CAP_USER.net
    AppleはmacOS Mojave 10.14.5において新元号「令和」へ対応した(「macOS Mojave 10.14.5 Release Notes|Apple Developer Documentation」)。フォントとして文字記号「令和(Unicode 文字コード U+32FF)」を導入したほか、アプリケーションにおいて令和を含む和暦表示に対応した。和暦にした場合、1年目は令和1年ではなく令和元年と表示される。

    ただし、macOS Mojave 10.14.5で導入された文字記号としての「令和」にはまだ問題があるようだ。文字ビューアで表示させると、フォントの表示位置がほかの文字記号よりも上方にずれておりデータに誤りがあることを確認できる。また、フォントのバリエーションも存在しておらず、取り急ぎとしてフォントデータが追加されたのではないかと推測される。

    文字記号「令和」のフォントデートは今後のアップデートで修正されると見られる。また、フォントバリエーションに関しても今後のアップデートで随時取り込まれると考えられる。
    https://news.mynavi.jp/article/20190522-828209/

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    <div class="t_h" >1: <span style="color: green; font-weight: bold;">田杉山脈 ★</span> <span style="color: gray;"> 2019/05/23(木) 20:51:22.57 ID:CAP_USER.net</span></div>
    <div class="t_b" style="font-weight:bold;font-size:18px;line-height:27px;color:#ff0000;background-color:#f5f5f5;margin:5px 20px 10px;padding:10px;border:1px solid #cccccc;border-color:#cccccc;">  理化学研究所は5月23日、スーパーコンピュータ「京」の後継機の名称を「富岳」(ふがく)に決めたと発表した。2021年ごろに運用を始める予定で、京の最大100倍の実行性能を目指す。富岳は「京」と同様、理研 計算科学研究センター(神戸市)に設置する。 <br /> <br /> 理研は今年2月、京の運用を8月に終了すると発表し、後継機の名称を公式Webサイトで募集。5181件の応募があったという。理研の松本紘理事長は「創薬や防災を発展させる上で必要なシミュレーションに加え、AI、ビッグデータ分析の基盤として活躍すると確信している」と語った。 <br /> <br />  富岳は「富士山」の別名。富士山のように高く(性能が高く)、裾野が広く(対象分野が広く)、海外での知名度も高くなってほしい――などの理由から名付けた。各国のスーパーコンピュータの名称は山にちなんだものが多く、発音がしやすいことも考慮したという。 <br /> <br />  その他の候補は「穹」(きゅう)、「叡」(えい)、「Yukawa」(ゆかわ)、「凌駕」(りょうが)、「光明」(こうみょう)、「解」(かい)など。応募数の1位は「垓」(がい)、2位は「雅」(みやび)、3位は「極」(ごく)だったが、公募時に提示していた「世界トップレベルの性能をアピールする」「親しみやすい名称」などの条件を加味して採用しなかった。 <br /> <a href="http://www.itmedia.co.jp/news/articles/1905/23/news104.html" target="_blank">https://www.itmedia.co.jp/news/articles/1905/23/news104.html</a> </div><br />

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    1: 田杉山脈 ★ 2019/05/23(木) 21:09:57.98 ID:CAP_USER.net
    サムスンの完全ワイヤレスイヤフォン「Galaxy Buds」が、日本で5月23日に発売された。ワイヤレスイヤフォンは全般的に音質や接続、デザイン、再生時間などに課題があるとされているが、サムスンの新製品はトップクラスの性能と手ごろな価格を両立させていた。『WIRED』US版によるレヴュー。

    ここ数年のワイヤレスイヤフォンは、マンネリ化した状態にある。このコンセプトを推し進めてきたメーカーは、いまのところユーザーたちに大きな期待を抱かせながらも、いまだに十分な性能の製品を提供できていないのだ。

    アップルの「AirPods」は現時点で最高の「完全ワイヤレス」イヤフォンと言えるだろう。しかし、見た目がちょっと微妙なうえ誰の耳にでもフィットするわけでもなく、音楽鑑賞に値するほど音質が素晴らしいわけでもない。

    ほかのワイヤレスイヤフォンは、音質や接続、デザイン、再生時間など山ほどの問題を抱えている。サムスン初のワイヤレスイヤフォンだった「Gear IconX」シリーズは、これらのすべてに難があったことは否定できないだろう。

    こうした事情を踏まえると、サムスンの新製品「Galaxy Buds」がなかなかよい出来であったことは驚きとも言える。Galaxy Budsは欠点こそないわけではないが、最も重要な部分ではよいパフォーマンスを見せてくれるのだ。

    追加充電なしで最大6時間の音楽再生
    完全無線のワイヤレスイヤフォンは、必ず2つのパーツに分かれている。左右2つのイヤフォンと、それをしまう充電ケースだ。ケースはできればないほうがいいが、イヤフォンの保護と充電の役割を担っているため、いまは我慢しなければなるまい。

    サムスンのケースは、ゼンハイザーの「MOMENTUM True Wireless」といった競合製品よりも小型だ。大きさにして、だいたいファストフード店でもらえるケチャップのパッケージを3つ重ねたくらいである。XLサイズの卵を縦に半分に切ったくらいだとか、食べきりサイズのスナックバーの大きさといった言い方もできるだろう。どんなたとえをするにせよ、ポケットにすんなり収まることは間違いない(そんな話をしていたら、お腹が空いてくる)。

    アップルのケースはAirPodsの音楽再生時間を19時間も延長させられる。これに対してGalaxy Budsのケースは、7時間分の電力しか蓄えられない。この差を補うべく、サムスンはイヤフォン1回の充電で6時間の音楽再生を可能にしている。

    ケースはかなり頻繁に充電することになるだろうが、イヤフォン自体のバッテリー容量が大きいのは実に素晴らしい。他社製のイヤフォンの再生時間は多くが1回の充電につき3~4時間だから、この差はかなり大きく感じる。

    Galaxy Budsをケースに入れずにアイドリング状態で机の上に放置しておいたら、ひと晩で50パーセント以上も充電が減っていた。これに対してケースにセットしておいた場合は、2~3日ほど使わなくても放電した様子はなかった。イヤフォンの電源を切るにはケースにしまうしかないということだ。このタイプのイヤフォンにはお決まりの制約である。

    ちなみにGalaxy Budsには、ちょっとした秘密がある。ケースがワイヤレスで充電できるのだ。もしサムスンのスマートフォン「Galaxy S10」を使っているなら、その背面にケースを乗せることで充電が可能だ。大きな必要性を感じない人もいるかもしれないが、この機能がついていること自体は評価できる。また、充電ケーブルがUSB Type-C対応なのも使い勝手がいい。
    https://wired.jp/wp-content/uploads/2019/04/07.-Galaxy-Buds_1.jpg
    以下ソース
    https://wired.jp/2019/05/23/samsung-galaxy-buds-review/

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    1: 田杉山脈 ★ 2019/05/24(金) 00:07:19.38 ID:CAP_USER.net
    富士フイルムは、1億200万画素のラージフォーマットセンサーを装備したミラーレスカメラ「FUJIFILM GFX100」を発表。6月下旬より発売する(※画像はレンズ装着イメージ)。

    ミラーレスカメラ「GFXシリーズ」のフラッグシップと位置づけるモデル。1億200万画素のラージフォーマットセンサー、第4世代となる最新の高速画像処理エンジン「X-Processor 4」などを装備した。

    主な特徴として、対角線の長さが約55mm(横43.8mm×縦32.9mm)で、35mm判の約1.7倍の面積を持つ、「GFXシリーズ」のイメージセンサーの特徴はそのままに、現行モデル(「FUJIFILM GFX 50S」「FUJIFILM GFX 50R」)と比べて画素数を倍増。独自の色再現技術などとの組み合わせによって、「世界最高峰の高画質を実現する」と同社では説明する。

    さらに、35mm判を超えるイメージセンサーを採用したデジタルカメラとして世界で初めて(2019年5月23日時点、同社調べ)、(1)像面位相差画素を配置した裏面照射型センサー構造、(2)ボディ内手ブレ補正機構、(3)4K/30P動画撮影機能を搭載する。

    なかでも、ボディ内手ブレ補正機構は、ボディ内5軸・最大5.5段( 「フジノンレンズ GF63mmF2.8 R WR」使用時)の手ブレ補正機構を採用し、上下・左右の角度ブレのみならず、縦・横平行のシフトブレ、回転ブレにも対応。1億200万画素の超高解像写真を手持ちで撮影できる領域を拡大させる点が特徴だ。

    ボディは、ラージフォーマットセンサーや手ブレ補正機構などを搭載しつつ、最薄部48.9mm、重量約1400g(バッテリー2個、メモリーカード、電子ビューファインダーを含む)を実現。イメージセンサー、手ブレ補正機構、レンズマウントを連結して一体化するインナーフレーム方式とマグネシウム合金を採用した、高剛性ボディを採用した。さらに、95か所にシーリングを施した、高い防塵・防滴性能と耐低温構造を備えており、プロの過酷な撮影環境にも対応するとのことだ。

    背面には、3方向チルト対応の3.2型液晶モニターに加えて、2.05型サブモニターを新たに採用。露出など、各種情報の表示を背面サブモニターに集約させることで、メインの背面液晶モニターでフレーミング全体を確認でき、撮影構図の確認に集中できるという。

    また、新搭載の1.8型天面サブ液晶モニターでは、ダイヤルデザインを表示する「バーチャルダイヤルモード」が使用可能。「GFXシリーズ」の現行機種のダイヤルオペレーションを好むユーザーにも適しているとのことだ。このほか、「GFXシリーズ」専用バッテリー「NP-T125」を2個搭載することが可能。背面液晶モニター使用時で約800枚の撮影に対応する。

    ファインダーは、約576万ドット有機ELパネルと、非球面レンズを含む5枚の光学ガラスを採用した、超高精細な電子ビューファインダー(EVF)を新たに開発。ファインダー倍率0.86倍・視野率約100%を実現し、「極めて高いピント精度が求められる、1億200万画素イメージセンサーによる撮影でも正確なフォーカシングが可能」と説明する。

    本体サイズは、EVF装着時が156.2(幅)×163.6(高さ)×48.9~102.9(奥行)mm、EVF非装着時がEVF非装着時が156.2(幅)×144(高さ)×48.9~75.1(奥行)mm。重量(付属バッテリー2個、 メモリーカード含む)は約1320gで、EVF装着時が約1400g。ボディカラーはブラック。

    直販価格は1,323,000円。
    https://img1.kakaku.k-img.com/Images/prdnews/2019052/20190523150444_806_.jpg
    https://news.kakaku.com/prdnews/cd=camera/ctcd=0049/id=84956/

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